MOVPE相关论文
GaN是重要的宽禁带半导体材料,在半导体照明、大功率电力电子器件等领域拥有广阔的应用前景。金属有机气相外延（简称MOVPE）是GaN薄膜......
氮化铝（AlN）半导体薄膜具有能带间隙宽（6.2eV）、化学键能强、导热性能好以及热膨胀系数小等特点,广泛应用于蓝光LED和紫外光电器件的制......
以AlN和GaN为基础的III族氮化物半导体材料,由于其在高亮度LED以及大功率电力电子器件中的应用而获得了广泛关注。金属有机化学气......
AlN具有宽直接带隙、耐辐射、耐高温、高击穿场强等特点,是重要的第三代半导体材料,广泛用于制备半导体激光器(LD)、高亮度发光二......
对在GaAs (001) 衬底上用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究.所用腐蚀液包括HCl、H3PO4、KOH......
本文模拟ＭＯＶＰＥ工艺设定热力学条件，建立了涉及５个相和５４个气相物种的ＩｎＡｓＳｂＣＨ五元系热力学系统。采用先进的热力学计算方法，对该系统进行了热......
通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施，在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中，用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲......
运用金属有机气相外延设备 ,在蓝宝石衬底两个相反取向的 c面上同时生长六方相氮化镓薄膜 .对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能......
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生......
Lattice-matched InGaAs/InP heterostructures have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) with terti......
期刊
用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 (0 0 0 1)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1 xN/GaN二维电子气 (2DEG)结构。Al0 13Ga0 87N (70 0n......
用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子......
本文报道了用低压MOVPE和RF-分子束外延法在蓝宝石衬底上作极性控制的GaN生长.以"双～单层"模型讨论了用MOVPE和MBE法在蓝宝石衬底上......
研究了以三甲基镓 (TMGa)和氨 (NH3 )为气源物质 ,以氢气 (H2 )为载气进行GaN半导体的金属有机物气相外延 (MOVPE)生长时 ,NH3 分......
尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN......
InAs quantum dots (QDs) grown on InxGa1-xAs/InP matrix by low pressure metal organic vapor phase epitaxy (LP-MOVPE) in n......
Lattice-matched InGaAs/InP heterostructures have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) with terti......
期刊
报道了在水平、常压ＭＯＶＰＥ实验型生产装置中，采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ），用金属有机化合物ＤＭＣｄ、ＤｉＰＴｅ和元素Ｈｇ，在ＣｄＴｅ和ＧａＡｓ衬底上生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜，其组分和薄膜厚度的均匀性......
利用量子化学的密度泛函理论(DFT),对TMG/NH_(3)/H 2体系中自由基参与的金属有机气相外延(MOVPE)反应进行计算分析,特别针对H、NH ......
报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN......
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜.研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的......
本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的膺热力学分析模型.假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3之间反应生成的.为了计算氨分解的影响,......
利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量......
对具有渐变式折射率分布布拉格反射层（GRIN-DBR）的发光二极管进行了研究。研究发现,在传统分布布拉格反射层（C-DBR）的AlAs/Al0.45Ga0.5......
通过对氮化镓(Gallium nitride，GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode，HB-LED)材料金属有机气相外延(M......
采用金属有机物气相外延（MOVPE）方法，生长出InGaN/G aN单量子阱结构的绿光发光 二极管（LED）。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电......
利用量子化学的密度泛函理论,探讨了TMG(Ga(CH3)3)/NH3/H2体系中的气体反应机理,特别关注了氨基物DMGNH2的形成及其后的纳米粒子形......
采用金属有机化合物气相淀积（MOVPE）技术生长用于GaInP／GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键......
InN半导体材料由于其自身窄带隙的能带特性,在红外光谱范围的光发射、光探测以及光吸收器件中有着良好的应用前景。同时,还在理论......
GaN是重要的宽禁带化合物半导体材料,广泛用于制备微电子器件和光电子器件,MOVPE是生长GaN薄膜的主要方法。了解GaN的表面反应机理......
碲锌镉(CdZnTe)衬底是生长红外焦平面列阵(IRFPAs)所用碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料的首选衬底.本文讨论在单晶的碲锌镉衬底上,用MOVPE......
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宽直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料ZnO，由于其光电特性受缺陷影响较小，激子束缚能较高（60meV，GaN为25meV），体材料可得，生长温度较低（可在2......
采用基于密度泛函理论的Materials Studio中的CASTEP模块,对金属有机物气相外延MOVPE生长m面GaN薄膜的表面反应前体的吸附过程进行......
利用量子化学的密度泛函理论,对MOVPE生长A1N的气相反应路径进行理论计算和分析,特别针对氨基物DMA1NH2形成后的多聚反应、多聚物......
研究了用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法．发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下，氮化镓的电子浓度趋......
用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓（ＧａＮ）外延材料。未掺杂ＧａＮ显ｎ型，室温下（３００Ｋ）背景电子浓度为１．６×１０１７ｃｍ－３，电子迁移率为３６０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。在１９５Ｋ附近电子迁移率达到峰值，为４９０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。......
GaN是一种极重要的III-V族直接带隙半导体材料,具有禁带宽、击穿电场高、电子迁移率高及抗辐射能力强等优点,广泛用于制备LED、半......
采用LP-MOVPE技术,研制出InGaAs/InP双异质结宽接触和质子轰击条形激光器。宽接触室温阈电流密度为1.6kA/cm~2。质子轰击条宽为8μ......
采用金属有机物气相外延方法 ,研制了 In Ga N/Ga N单量子阱结构的绿光发光二极管 .测量了其电致发光光谱 ,及发光强度与注入电流......
